Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Средняя оценка

Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 70

Около 53% меньшая задержка

Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB

Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.7 8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.9 7.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

33 70
Скорость чтения, Гб/сек

8.0 15.7
Скорость записи, Гб/сек

7.3 7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1911 1934

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

модули RAM

Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB

Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB

Kingston KDK8NX-MIE 16GB

Kingston KDK8NX-MIE 16GB

модули RAM

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB

Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB

Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB

модули RAM

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB

AMD R7416G2133U2S 16GB

AMD R7416G2133U2S 16GB

модули RAM