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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
70
左右 53% 更低的延时
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
70
读取速度,GB/s
8.0
15.7
写入速度,GB/s
7.3
7.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
1934
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
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