RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
54
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.1
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
34
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
11.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2319
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link