RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
49
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
35
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8.2
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
3191
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Mushkin 996902 2GB
OCZ OCZ3F1600LV2G 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link