RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Средняя оценка
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
61
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
61
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
8.2
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
2113
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link