RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
73
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2847
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link