RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
69
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
3242
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link