RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
46
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
11
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
46
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
11.0
Скорость записи, Гб/сек
12.0
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2396
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link