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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
46
Por volta de 17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
11
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
9.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
46
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
11.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
9.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
2396
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
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Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
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