RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
65
Около 31% меньшая задержка
Причины выбрать
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
65
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.0
Скорость записи, Гб/сек
8.0
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2058
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link