Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Kingston 9905711-015.A00G 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Средняя оценка

Kingston 9905711-015.A00G 4GB

Kingston 9905711-015.A00G 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Сообщить об ошибке

Kingston 9905711-015.A00G 4GB

Причины выбрать
Kingston 9905711-015.A00G 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

41 45

Около -10% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.8 12.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.6 8.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Kingston 9905711-015.A00G 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 41
Скорость чтения, Гб/сек

12.3 13.8
Скорость записи, Гб/сек

8.0 10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1992 2134

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB

Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB

Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A

G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB

Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB

Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB

Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB

Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB

модули RAM

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB

Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

модули RAM