RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
45
Около -105% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.6
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
21.0
Скорость записи, Гб/сек
8.0
19.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
4240
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link