RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
45
Около -114% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
21
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.6
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3126
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link