RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.1
Скорость записи, Гб/сек
6.8
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3344
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF552C40-16 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link