RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
12.6
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
3344
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB RAM-Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link