RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.2
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
13.6
Скорость записи, Гб/сек
6.8
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2625
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Corsair CM3X8GA1600C10V2 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link