RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
9.2
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
2625
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link