RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
52
Около 42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.6
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.6
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
52
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
10.4
Скорость записи, Гб/сек
6.8
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2384
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link