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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
52
左右 42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.6
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.6
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
52
读取速度,GB/s
10.6
10.4
写入速度,GB/s
6.8
7.6
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2384
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
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G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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