RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Сравнить
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
43
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
11
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
34
Скорость чтения, Гб/сек
11.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
7.2
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1393
2665
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA1339.C8F1 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link