RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Сравнить
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB против Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
16.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1763
2876
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link