RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
38
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
35
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
15.6
Скорость записи, Гб/сек
6.6
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1406
3060
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link