RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB против Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Средняя оценка
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.5
8.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.8
4.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
43
Около -48% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
43
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.5
8.3
Скорость записи, Гб/сек
8.8
4.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
10600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1993
1196
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link