SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB против G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 19.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,076.1 17.0

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 59

Около -127% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

59 26
Скорость чтения, Гб/сек

4,723.5 19.5
Скорость записи, Гб/сек

2,076.1 17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

741 4024

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Kingston 9905744-027.A00G 16GB

Kingston 9905744-027.A00G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Kingston 9905700-047.A00G 16GB

Kingston 9905700-047.A00G 16GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

Kingston 9905624-009.A00G 8GB

Kingston 9905624-009.A00G 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB

Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Kingston 9905624-013.A00G 8GB

Kingston 9905624-013.A00G 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB

Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB

Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB

Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB

модули RAM