SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Средняя оценка

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 23.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,303.7 18.3

Среднее значение в тестах

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 117

Около -350% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

117 26
Скорость чтения, Гб/сек

3,094.8 23.7
Скорость записи, Гб/сек

2,303.7 18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

784 4124

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB

UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB

Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB

модули RAM

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB

Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB

модули RAM

Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB

модули RAM

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB

Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB

Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB

SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB

Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB

модули RAM