RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сравнить
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
68
Около -79% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.3
1,670.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,554.9
14.2
Скорость записи, Гб/сек
1,670.7
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
513
2148
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link