RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сравнить
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB против Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
68
Около -94% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
1,670.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,554.9
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,670.7
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
513
2654
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link