RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сравнить
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
68
Около -94% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.4
1,944.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,973.0
10.2
Скорость записи, Гб/сек
1,944.9
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
673
2124
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Сравнения RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link