RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
17
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
46
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
22
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
17.0
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2623
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link