RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
87
Около -135% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
15.4
Скорость записи, Гб/сек
870.4
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
3075
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link