RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
87
Около -235% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
16.0
Скорость записи, Гб/сек
870.4
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2793
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link