RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
13.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
87
Около -164% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
16.6
Скорость записи, Гб/сек
870.4
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
3141
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.D8F 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link