RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
87
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3141
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link