RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Сравнить
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB против Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
39
Около 36% меньшая задержка
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
39
Скорость чтения, Гб/сек
12.5
14.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2180
2188
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link