RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
96
Около -220% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.7
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3254
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link