RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
62
96
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.0
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
62
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
16.1
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
1586
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link