Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    2 left arrow 13.6
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    74 left arrow 96
    Около -30% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    7.7 left arrow 1,336.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 6400
    Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    96 left arrow 74
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2,725.2 left arrow 13.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,336.0 left arrow 7.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    438 left arrow 1616
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения