RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
36
Около 31% меньшая задержка
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
17.4
Скорость записи, Гб/сек
7.2
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2051
3074
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link