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Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
比较
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
总分
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
15.1
12.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
18.6
18.2
写入速度,GB/s
12.9
15.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3236
3666
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
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