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Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB vs Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
总分
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
32
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
9.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
32
读取速度,GB/s
18.6
11.1
写入速度,GB/s
12.9
9.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3236
2386
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB RAM的比较
Mushkin 99[2/7/4]164(S/Y) 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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RAM 1
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Kingston 9905624-036.A00G 8GB
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Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
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