Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

总分
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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

总分
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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    37 left arrow 40
    左右 -8% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    16 left arrow 12.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    12.6 left arrow 7.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    40 left arrow 37
  • 读取速度,GB/s
    12.8 left arrow 16.0
  • 写入速度,GB/s
    7.0 left arrow 12.6
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2021 left arrow 2808
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