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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
28
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
28
读取速度,GB/s
22.8
17.2
写入速度,GB/s
15.4
12.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3273
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
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