RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
28
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
28
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
3273
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link