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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
29
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.5
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
23
读取速度,GB/s
16.9
19.0
写入速度,GB/s
12.0
16.5
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3827
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 9905584-023.A00LF 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
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