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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
29
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
20
读取速度,GB/s
16.9
19.7
写入速度,GB/s
12.0
16.0
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3465
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MN5 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
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