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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
35
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
35
读取速度,GB/s
16.9
14.1
写入速度,GB/s
12.0
9.0
内存带宽,mbps
19200
25600
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2583
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
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