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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
总分
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
42
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
28
读取速度,GB/s
13.2
18.8
写入速度,GB/s
9.4
14.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2326
3458
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM的比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
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