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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Inmos + 256MB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Inmos + 256MB

总分
star star star star star
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

总分
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

差异 规格 评论

差异

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB 需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Inmos + 256MB 需要考虑的原因
Inmos + 256MB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 65
    左右 -117% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    11.5 left arrow 6.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.1 left arrow 4.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    16800 left arrow 8500
    左右 1.98 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Inmos + 256MB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    65 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    6.1 left arrow 11.5
  • 写入速度，GB/s
    4.2 left arrow 9.1
  • 内存带宽，mbps
    8500 left arrow 16800
Other
  • 描述
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow no data
  • 排名PassMark (越多越好)
    985 left arrow 2318

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较

Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB

Inmos + 256MB RAM的比较

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Inmos + 256MB
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Kingston KN2M64-ETB 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
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内存RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
内存RAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
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Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
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内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
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内存RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
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内存RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
内存RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
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Corsair CMR16GX4M2C 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
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