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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
比较
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Kingston KKN2NM-MIE 4GB
总分
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
总分
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
38
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14200
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
38
读取速度,GB/s
13.9
14.9
写入速度,GB/s
9.6
11.2
内存带宽,mbps
14200
21300
Other
描述
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2558
2174
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905711-017.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
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