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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
26
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
22
读取速度,GB/s
13.2
18.5
写入速度,GB/s
8.4
13.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3261
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
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